Полупроводниците имат три основни характеристики:
1. Характеристики на термична чувствителност
Съпротивлението на полупроводниците се променя значително с температурата. Например чистият германий, за всеки 10 градуса повишаване на влажността, неговото електрическо съпротивление намалява до 1/2 от първоначалната му стойност. Фините промени в температурата могат да бъдат отразени в значителните промени в съпротивлението на полупроводниците. Чрез използване на термичната чувствителност на полупроводниците могат да бъдат направени температурни сензорни елементи - термистори - за използване в системи за измерване и контрол на температурата.
Струва си да се отбележи, че различните полупроводникови устройства имат термична чувствителност, което влияе върху тяхната стабилност при промяна на температурата на околната среда.
2. Фоточувствителни характеристики
Съпротивлението на полупроводниците е силно чувствително към промените в светлината. При осветяване електрическото съпротивление е много ниско; Когато няма светлина, електрическото съпротивление е високо. Например, често използваният фоторезистор от кадмиев сулфид има съпротивление от няколко десетки мегаома при липса на светлина, когато е изложен на светлина. Съпротивлението изведнъж падна до десетки хиляди ома и стойността на съпротивлението се промени хиляди пъти. Чрез използване на фоточувствителните свойства на полупроводниците се произвеждат различни видове оптоелектронни устройства, като фотодиоди, фототранзистори и силициеви фотоклетки. Широко използван в автоматичното управление и радиотехнологиите.
3. Допингови характеристики
В чистите полупроводници допирането на изключително малки количества примесни елементи може да причини значителна промяна в тяхното електрическо съпротивление. Например. Допинг в чист силиций. Съпротивлението на борния елемент, което е по-малко от 214 000 Ω · cm, ще намалее до 0,4 Ω · cm, което означава, че проводимостта на силиция ще се увеличи с повече от 500 000 пъти. Хората прецизно контролират проводимостта на полупроводниците чрез допиране на определени специфични примесни елементи и произвеждат различни видове полупроводникови устройства. Без преувеличение може да се каже, че почти всички полупроводникови устройства са направени от полупроводникови материали, легирани със специфични примеси.
