Какво е полупроводник

Всички материали с горните две характеристики могат да бъдат класифицирани в обхвата на полупроводниковите материали. Това, което отразява присъщите основни свойства на полупроводниците, са физическите ефекти и явления, причинени от различни външни фактори като светлина, топлина, магнетизъм, електричество и др., действащи върху полупроводниците, които могат да бъдат наричани общо като полупроводникови свойства на полупроводниковите материали. Повечето от основните материали на електронните устройства в твърдо състояние са полупроводници. Различните полупроводникови свойства на тези полупроводникови материали придават на различните видове полупроводникови устройства различни функции и характеристики. Основната химична характеристика на полупроводниците е наличието на наситени ковалентни връзки между атомите. Като типична характеристика на ковалентната връзка, тя е тетраедрична в структурата на решетката, така че типичните полупроводникови материали имат структура на диамант или цинкова смес (ZnS). Тъй като повечето от земните минерални ресурси са съединения, полупроводниковите материали, които са използвани за първи път, са съединения. Например галенитът (PBS) е бил използван за радиооткриване отдавна, медният оксид (Cu2O) е използван като твърд токоизправител, сфалеритът (ZnS) е добре известен твърд луминесцентен материал, а функцията за коригиране и откриване на силициевия карбид ( SIC) също се използва рано. Селенът (SE) е първият открит и използван елемент полупроводник, който някога е бил важен материал за твърдотелни токоизправители и фотоклетки. Откриването на усилването на елементен полупроводников германий (GE) отвори нова страница в историята на полупроводниците, от която електронните устройства започнаха да реализират транзисторизация. Изследванията и производството на полупроводници в Китай започват с първото получаване на германий с висока чистота (99,999999% - 99,999999%) през 1957 г. Приемането на елементарен полупроводников силиций (SI) не само увеличава видовете и разновидностите на транзисторите и подобрява тяхната производителност , но също така въвежда ерата на широкомащабните и много мащабни интегрални схеми. Откриването на ⅲ - ⅴ съединения, представени от галиев арсенид (GaAs), насърчи бързото развитие на микровълнови устройства и оптоелектронни устройства.