В края на 19 век учените започват да изучават свойствата и поведението на електроните. През 1897 г. британският физик Томсън открива електрони, което поставя основата за последващи изследвания на полупроводниците. Но по това време хората все още знаеха много малко за приложението на електрониката
В началото на 20-ти век постепенно се появяват изследванията върху полупроводниковите материали. През 1919 г. немският физик Херман Стол открива полупроводниковите свойства на силиция. След това учените започнаха да изучават как да използват полупроводникови материали, за да контролират потока на тока. През 1926 г. американският физик Джулиан Лиърд проектира първия полупроводников усилвател, който бележи началото на полупроводниковата технология.
Развитието на полупроводниковата технология обаче не върви гладко. През 20-те и 30-те години на миналия век разбирането на хората за полупроводниците е все още ограничено, а производственият процес също е много сложен. До 1947 г. изследователи от Bell Laboratories в Съединените щати откриха PN структурата на полупроводниковия материал силиций, което се счита за крайъгълен камък в съвременната полупроводникова технология. Откриването на PN структура позволява на хората да контролират потока на тока, като по този начин позволяват производството на полупроводникови устройства.
През 50-те години полупроводниковата технология направи значителни пробиви. През 1954 г. изследователите Джон Бадин и Уолтър Братън от Bell Laboratories в Съединените щати изобретяват първия транзистор, който се смята за важен крайъгълен камък в съвременните електронни технологии. Изобретяването на транзистори значително намали размера на електронните устройства и консумацията на енергия, като по този начин насърчи бързото развитие на електронните технологии.
През 60-те години на миналия век е предложена концепцията за интегрални схеми. Интегралните схеми интегрират множество транзистори и други електронни компоненти в един чип, постигайки по-висока интеграция и по-малък размер. През 1965 г. Гордън Мур, основателят на Intel, предлага известния "закон на Мур", който предвижда експоненциалното нарастване на броя на транзисторите в интегралните схеми. Този закон беше утвърден през последните няколко десетилетия, движейки бързото развитие на полупроводниковата технология.
С непрекъснатия напредък на полупроводниковата технология производителността на електронните устройства продължава да се подобрява. През 70-те години на миналия век появата на персоналните компютри доведе до широкото приложение на полупроводниковата технология. През 80-те и 90-те години на миналия век, с възхода на интернет, полупроводниковата технология се прилага широко в областта на комуникационните и информационните технологии. От 21-ви век приложението на полупроводниковата технология в области като изкуствения интелект, Интернет на нещата и новата енергия непрекъснато се разширява, осигурявайки силна подкрепа за развитието на съвременните технологии.
От първоначалния транзистор до сегашната интегрална схема, напредъкът на полупроводниковата технология е стимулирал развитието и подобряването на производителността на електронните устройства. С непрекъснатия напредък на технологиите, приложението на полупроводниковата технология в различни области ще стане по-широко разпространено и в същото време ще създаде по-добро бъдеще за човечеството.
